高盛警告：中國DRAM產能翻倍計畫恐引發2030年記憶體市場危機

全球記憶體晶片產業正面臨矛盾的危機：分析師預測到2028年將出現嚴重短缺，但中國激進的DRAM擴產計畫卻可能在2030年破壞市場穩定。高盛發出「15年來最嚴重記憶體短缺」警告，而長鑫存儲（CXMT）卻計劃在十年末將產能翻倍。

完美風暴正在醞釀

高盛預測2026年DRAM供應短缺約4.9%，2027年短缺2.5%，主要受AI需求爆發和供應擴張受限推動。SK海力士執行長預測「最嚴重的記憶體短缺」將在2027年達到高峰，需求將持續超過供應直到2030年後。

然而，CXMT預計到2030年每月生產近35萬片晶圓，可能超越美光的記憶體晶圓產能。中國的DRAM總產能預計到2030年將達到每月約141萬片晶圓，使其成為全球第二大DRAM生產國。

記憶體產業面臨微妙的平衡挑戰。雖然目前的短缺正推動DDR5 RDIMM價格在2026年第三季達到1,402美元——季增13%——但CXMT的產能翻倍可能在供需平衡達成時淹沒市場。高盛預期2026年DRAM供應年增長僅21%，遠低於需求激增。

CXMT的85億美元IPO和雄心勃勃的擴張計畫，代表中國決心在西方出口管制下實現半導體自給自足。該公司目標在2035年前將產能提高三倍，同時轉向LPDDR5和DDR5等高價值產品。

產業專家警告，如果CXMT的擴張計畫如期實現，可能在2030-2031年造成供過於求，可能引發類似以往記憶體市場週期的價格崩盤。這個時間點特別令人擔憂，因為它恰好與當前短缺預期自然緩解的時間重疊。